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导师姓名:邵军 导师类别:博士生导师

姓名邵军性别出生年月
所在院校上海技术物理研究所所在院系 电子学研究所
职称招生专业 微电子学与固体电子学
研究领域

联系方式

E-mail:jshao@mail.sitp.ac.cn办公电话

电 话:

邮 编:200083

地 址:玉田路500号

个人简介

招生专业 微电子学与固体电子学

招生方向: 红外光电子物理
半导体低维结构与量子调控
半导体外延结构物理学,半导体材料、器件与物理机理教育背景: 1996-10--2002-01 德国斯图加特大学 科研助理/自然科学博士
1996-06--1996-09 德国曼海姆歌德学院 德语语言培训
1994-09--1996-05 南京大学 博士研究生
1986-09--1989-06 南京大学 硕士研究生/硕士
1982-09--1986-07 南京大学 本科生/学士
学历: -- 研究生
学位:自然科学博士 \(Dr.rer.nat.\)
研究领域:首次提出步进扫描傅里叶变换\(FT\)光调制反射\(PR\)光谱方法,建成可见-远红外光谱系统,突破40多年来国际上一直存在的约4 µm以长波段禁区,并成功拓展到20 µm红外探测波段,引发美国、加拿大、波兰等国同行效仿。发展红外调制光致发光\(PL\)光谱技术,使得关键性能得到数量级提高,引发德国同行跟进。发展非接触无损预测材料光电响应截止波长以及纵向不均匀性方法;揭示关于掺杂窄禁带半导体光调制的新机理"。发现掺杂HgCdTe禁带附近PR光谱特征群及其浅杂质相关性,澄清关于带边PR特征机制的长期争论;测定施、受主能级,获得器件设计必需却一直未能形成的带边电子能带结构图像。

近期研究计划是,将红外调制光谱独特优势与极端条件相结合,围绕国家安全和空间高技术急需的红外光电子材料和器件中若干科学问题进行探索,解决相关科学问题。具体表现在:构建极端条件红外调制光谱研究能力;研究HgCdTe、GaSb基Ⅱ类超晶格红外调制光谱强磁场相关性,建立特征参数对材料性能影响的物理基础;开展HgCdTe超晶格、InGa\(N\)As数字量子阱红外调制光谱强磁场演化特性研究,形成关于带-带、子带间跃迁及其耦合的磁场调控物理图像。
参与会议: (1) Arsenic-doped narrow-gap HgCdTe epilayers studied by modulation spectroscopy,7th International Conference on Thin Film Physics and Applications \(TFPA 2010\),2010-09,Jun Shao, W. Lu, X. Lu, S. Guo, J. Chu, L. Chen, J. Wu, and L. He
(2) Photoreflectance spectroscopy with a Fourier-transform infrared spectrometer: from visible to far infrared,35th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves \(IRMMW-THz 2010\),2010-09,Jun Shao and Wei Lu
(3) Application of infrared photoreflectance to low-dimensional semiconductors: demonstration and warning,8th International Symposium on Advanced Photonic Science and Technology,2010-08,Jun Shao and Xiang Lu
(4) Photoreflectance spectroscopy with a Fourier-transform infrared spectrometer: technique and applications,6th International Symposium on Advanced Photonic Science and Technology,2008-08,Jun Shao, X. Lu, W. Lu, and J. Chu

获得奖项

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著作及论文

发表论文: (1) Spectral Resolution Effects on the Lineshape of Photoreflectance,Chin. Phys. Lett. 28, 047801,2011,通讯作者
(2) Competition of compressive strain with substrate misorientation in CuPt-type ordered GaInP/AlGaInP quantum wells,J. Appl. Phys. 109, 013509,2011,通讯作者
(3) Infrared photoluminescence of arsenic-doped HgCdTe in a wide temperature range of up to 290 K,J. Appl. Phys. 110, 043503 ,2011,通讯作者
(4) Infrared dielectric response and Raman spectra of tunable Ba0.5Sr0.5TiO3–Mg2TiO4 composite ceramics,J. Appl. Phys. 107, 014106,2010,第4作者
(5) Modulation mechanism of infrared photoreflectance in narrow-gap HgCdTe epilayers: A pump power dependent study,J. Appl. Phys. 108, 023518,2010,第1作者
(6) Femtosecond laser-drilling-induced HgCdTe photodiodes,Opt. Lett. 35, 971,2010,第3作者
(7) Backside-illuminated infrared photoluminescence and photoreflectance: Probe of vertical nonuniformity of HgCdTe on GaAs ,App. Phys. Lett. 96, 121915,2010,第1作者
(8) Impurity levels and bandedge electronic structure in as-grown arsenic-doped HgCdTe by infrared photoreflectance spectroscopy,Phys. Rev. B 80, 155125,2009,第1作者
(9) Realization of photoreflectance spectroscopy in very-long wave infrared of up to 20 microns,Appl. Phys. Lett. 95, 041908,2009,第1作者
(10) Microwave and infrared dielectric response of tunable Ba1-xSrxTiO3 ceramics,Acta Materialia 57, 4491,2009,第4作者
(11) Evolution of valence-band alignment with nitrogen content in GaNAs/GaAs single quantum wells,Appl. Phys. Lett. 93, 031904,2008,第1作者
(12) Evolution of infrared photoreflectance lineshape with temperature in narrow-gap HgCdTe epilayers,Appl. Phys. Lett. 93, 131914,2008,第1作者
(13) Cutoff wavelength of Hg1-xCdxTe epilayers by infrared photoreflectance spectroscopy,Appl. Phys. Lett. 90, 171101,2007,第1作者
(14) “Blueshift” in photoluminescence and photovoltaic spectroscopy of the ion-milling formed n-on-p HgCdTe photodiodes,Appl. Phys. Lett. 90, 201112,2007,通讯作者
(15) Photoreflectance spectroscopy with a step-scan Fourier-transform infrared spectrometer: Technique and applications,Rev. Sci. Instrum. 78, 013111,2007,第1作者
(16) Magnetophotoluminescence study of GaxIn1-xP quantum wells with CuPt-type long-range ordering,J. Appl. Phys. 100, 053522,2006,第1作者
(17) Modulated photoluminescence spectroscopy with a step-scan Fourier transform infrared spectrometer,Rev. Sci. Instrum. 77, 063104,2006,第1作者
(18) Photomodulated infrared spectroscopy by a step-scan Fourier transform infrared spectrometer,Appl. Phys. Lett. 89, 182121,2006,第1作者
(19) Anomalous temperature dependence of absorption edge in narrow-gap HgCdTe semiconductors,Appl. Phys. Lett. 89, 021912,2006,通讯作者
(20) Forbidden transitions and the effective masses of electrons and holes in In1-xGaxAs/InP quantum wells with compressive strain,J. Appl. Phys. 93, 951,2003,第1作者
(21) Ordering effects on optical transitions in GaxIn1-xP/(Al0.66Ga0.34)yIn1-yP quantum wells studied by photoluminescence and reflectivity spectroscopy,Phys. Rev. B 68, 165327,2003,第1作者
(22) Effective mass and exciton binding energy in ordered (Al)GaInP quantum wells evaluated by derivative of reflectivity,J. Appl. Phys. 91, 2553,2002,第1作者
(23) Ordering parameter and band-offset determination for ordered GaxIn1-xP/(Al0.66Ga0.34)yIn1-yP quantum wells,Phys. Rev. B 66, 035109,2002,第1作者
(24) Tensile strained InGaAs/InP multiple-quantum-well structures studied by magneto-optical spectroscopy,J. Appl. Phys. 87, 4303,2000,第1作者
(25) The method of the minimum sum of squared acoustic pressures in an actively controlled noise barrier,J. Sound Vibra. 204, 381,1997,第1作者

承担项目

科研项目: (1) 变条件集成红外调制光致发光谱实验系统,主持,国家级,2010-01--2012-12
(2) 低温强磁场调制光致发光谱方法及其应用研究,主持,省级,2009-09--2011-08
(3) 共掺杂型高居里温度稀磁半导体的电子结构设计、磁性调控和材料开发 (一级课题,共同主持),主持,国家级,2007-07--2011-12

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